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ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

叶志镇 , 张银珠 , 徐伟中 , 吕建国

无机材料学报

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.

关键词: ZnO薄膜 , p-type ZnO , property